حق ثبت اختراع جدید اپل برای سیستم ذخیره سازی ترکیبی در معرض دید قرار گرفت!

digitimes گزارشی را از تام سخت افزار نقل قول کرد و اشاره کرد که با توسعه مداوم DRAM ، به دلیل اهداف مختلف کاربرد ، طراحی DRAM پیچیده تر شده است. طراحی هایی که بر بهبود تراکم / ظرفیت ذخیره سازی متمرکز هستند ، باعث کاهش (یا حداقل عدم افزایش) پهنای باند می شوند ، در حالی که طرح هایی که پهنای باند را افزایش می دهند ، تمایل به کاهش (یا حداقل عدم افزایش) پهنای باند دارند. برای طراحان SoC ، چگونگی دستیابی به بهترین تعادل بین پهنای باند ذخیره سازی ، ظرفیت ، مصرف برق و هزینه در پاسخ به نیازهای کاربرد تراشه ، یک چالش اساسی شده است.

سیستم ذخیره سازی ترکیبی اپل بر اساس فناوری جدید انحصاری خود می تواند حداقل شامل دو نوع مختلف حافظه DRAM باشد (به عنوان مثال یکی DRAM با چگالی بالا ، دیگری DRAM با چگالی کم یا تأخیر کم و پهنای باند). این امر به دستیابی به کارایی کم مصرف و افزایش ظرفیت ذخیره سازی برای دستگاه های موبایل و سایر دستگاه هایی که مصرف برق و نسبت بازده به نیرو را به عنوان کلید در نظر می گیرند کمک می کند.

گزارش شده است که این حق ثبت اختراع استفاده از چندین فن آوری اتصال مانند سیلیکون از طریق (TSV) برای تحقق چندین سیستم ذخیره سازی ترکیبی است که ترکیبی از حافظه پنهان حافظه پنهان و DRAM اصلی است. علاوه بر این ، برنامه ثبت اختراع SoC را پوشش می دهد ، نه پردازنده PC.

اپل برنامه های ثبت اختراع فوق را در اداره ثبت اختراعات اروپا (EPO) و همچنین آژانس های تنظیم کننده حق ثبت اختراع در ایالات متحده ، چین و ژاپن ثبت کرده است.