بر اساس روند 8nm! سامسونگ توسعه تکنولوژی 5G RF تراشه را تکمیل می کند

سامسونگ الکترونیک اخیرا اعلام کرده است که آخرین تکنولوژی RF را بر اساس فرایند 8 نانومتر توسعه داده است. در مقایسه با فرآیند 14nm، فرآیند 8nm RF سامسونگ می تواند منطقه تراشه RF را به میزان 35٪ کاهش دهد و قدرت را با 35٪ افزایش دهد.

طبق گفته رسانه های کره ای گزارش ELEC، سامسونگ همچنین تراشه های 5G RF را ارائه می دهد که از یکپارچگی چند کاناله و چندتایی آنتن پشتیبانی می کنند. سامسونگ گفت که تراشه از امواج Sub-6Ghz و میلی متر پشتیبانی خواهد کرد. انتظار می رود فرایند جدید دستورات بیشتری برای سامسونگ کسب کند.

براساس اطلاعات شرکت تحقیقاتی بازار TrendForce، کسب و کار ریخته گری سامسونگ در سه ماهه اول سهم بازار جهانی 17 درصد بود و هنوز هم 55 درصد از TSMC بسیار عقب مانده است.

شرکت کره جنوبی شروع به ارائه خدمات ریخته گری RF در سال 2015، در ابتدا با استفاده از فرآیند 28nm و تولید ویفر 12 اینچی، و در سال 2017 شروع به ارائه فرایند تولید 14 نانومتر کرد. سامسونگ گفت که از سال 2017، این شرکت بیش از 500 میلیون تراشه فرکانس رادیویی تلفن همراه را حمل کرده است.