سامسونگ الکترونیک هیچ برنامه ای برای کاهش تولید DRAM و سایر تراشه های حافظه ندارد.

اگرچه ژاپن صادرات مواد اولیه مهم فن آوری کره جنوبی را محدود کرده و صنعت را شوکه کرده است ، اما شرکت سامسونگ الکترونیک گفت که هیچ برنامه ای برای کاهش تولید DRAM و سایر تراشه های حافظه وجود ندارد. همچنین گفته شده است که تأثیر محدودیت های صادرات ژاپن برای تخمین دشوار است. می توانید سعی کنید آسیب را به حداقل برسانید.

BusinessKorea و روزنامه شرق آسیا گزارش دادند که یک مدیر اجرایی سامسونگ در تاریخ 31 ژوئیه در کنفرانس درآمد سه ماهه دوم (آوریل-ژوئن) اعلام کرد که دولت ژاپن صادرات مواد نیمه هادی را به طور کامل ممنوع نکرده است ، اما یک پروسه جدید درخواست مجوز را اضافه کرده است ، عملیات روزانه سامسونگ. آنچه دولت ژاپن در آینده انجام خواهد داد هنوز پر از عدم قطعیت است و تخمین تأثیر این شرکت دشوار است. مدیر اجرایی گفت: "کاهش فعلی تولید ویفر در نظر گرفته نشده است و خط تولید انعطاف پذیر برای پاسخ به نوسانات تقاضا کار خواهد کرد."

وقتی در مورد تغییرات سهام حافظه در نیمه دوم سال صحبت می کنیم ، مدیران سامسونگ فاش کردند که "سهام در نیمه دوم امسال کاهش می یابد ، اما پیش بینی اینکه سرعت کاهش سریع چقدر خواهد بود دشوار است زیرا محیط خارجی هنوز هم وجود دارد. عدم قطعیت ها " او گفت که NAND سریع است. سهام حافظه فلش به شدت کاهش یافته و انتظار می رود در سه ماهه سوم به سطح مناسب برسند.

هنگامی که در مورد جهش اخیر در قیمت های حافظه سؤال شد ، مدیر اجرایی گفت که آیا این روند صعودی بر قیمت قراردادهای بلند مدت تأثیر خواهد گذاشت ، گفتن آن دشوار است.

با انتظار به سال آینده ، مدیران سامسونگ گفتند که برنامه سرمایه گذاری تجهیزات حافظه هنوز در دست برنامه ریزی است. پیش بینی می شود این کارخانه در شیان چین تا پایان امسال به اتمام برسد. کارخانه Pyeongtaek در کره جنوبی تا پایان سال آینده به اتمام می رسد.

از نظر ریخته گری حرفه ای ، مدیران سامسونگ خاطرنشان کردند که خط تولید فرایند EUV کارخانه Hwaseong Plant در نیمه اول سال آینده عملیاتی خواهد شد ، همانطور که در ابتدا برنامه ریزی شده بود ، این شرکت همچنین یک خط فرآیند EUV 7 نانومتری و یک تصویر را ایجاد خواهد کرد. . خط تولید سنسور (S4). مدیران خاطرنشان كردند كه آزمایشگاههای سامسونگ در حال ارزیابی دستگاهی هستند تا ببیند آیا می تواند فرآیندهای EUV را برای تولید DRAM نسل 3 نانومتری 10 نانومتر (1z-nm) اعمال كند.

وی در پاسخ به این سؤال که آیا خط تولید پانل تا حدی بسته شده است ، گفت: "ما خط تولید را براساس شرایط بازار و راهبردهای عملیاتی انعطاف پذیر خواهیم کرد."