سامسونگ تولید حافظه فلش 100 لایه V-NAND ، اصلی ترین بازار SSD را در اختیار دارد

سامسونگ الکترونیک اعلام کرد که تولید اولین فلش مموری فلش 100 لایه V-NAND را در این صنعت آغاز کرده است و قصد دارد آن را در شرکت PCSSD به تصویب برساند. این غول فناوری کره جنوبی اظهار داشت: SSD های مبتنی بر 256Gb3 بیتی حافظه فلش V-NAND شروع به عرضه به تولید کنندگان جهانی رایانه می کنند. با داشتن 100 لایه سلول فلش V-NAND که تنها به یک اچ تک نیاز دارد ، محصول جدید از نظر سرعت ، توان و بهره وری انرژی در بازار صدرنشین است.

رسانه های خارجی ZDNet گزارش دادند كه سامسونگ 250 گیگابایت SATAPCSSD را به یك مشتری بی نام عرضه كرده است.

این شرکت در نیمه دوم سال جاری ظرفیت را افزایش می دهد و از فلش مموری V125-512Gb3 بیتی برای تولید محصولات SSD و eUFS برای تولید نیازهای جدید در مشخصات مختلف استفاده می کند.

سامسونگ گفت كه فلاش V-NAND 100 یا 6 نسل آن دارای تأخیر نوشتن به میزان 450μs و زمان پاسخ خواندن 45μs است.

در مقایسه با فلاش 90 لایه V-NAND ، فلاش 100 لایه V-NAND نه تنها 10٪ افزایش عملکرد دارد ، بلکه 15٪ انرژی کمتری نیز مصرف می کند. علاوه بر این ، روند جدید مراحل تولید را کاهش می دهد ، اندازه تراشه را کاهش می دهد و تولید را 20٪ افزایش می دهد.

با نگاه به آینده ، سامسونگ برای تقویت رهبری خود در بازار حافظه های فلش قصد دارد حافظه های جدید فلش V-NAND را در بخش های موبایل و خودرو مستقر کند.

پیش از این غول فناوری کره جنوبی هشدار داده بود که هنوز عدم قطعیت های مداوم در عملکرد این شرکت پیش از انتشار گزارش سود سه ماهه دوم ، از جمله تنش ناشی از اصطکاک تجاری بین ژاپن و کره جنوبی وجود دارد.

در اوایل هفته جاری ، ژاپن کره جنوبی را از لیست سفید شرکای تجاری خود خارج کرد و در ماه گذشته محدودیت های تجاری را برای مواد اصلی استفاده شده در تولید نیمه هادی ها اعمال کرد.

با وجود SK Hynix در کره ، رهبری آن به شرکت ها دستور داده است تا برنامه های اضطراری را تهیه کنند. اما به نظر نمی رسد که سامسونگ چندان خوشبو باشد ، اما تصمیم به ادامه سرمایه گذاری در تولید در نیمه دوم سال جاری گرفت.

سرانجام با توجه به کاهش شدید سود و تقاضا در تجارت حافظه ، پیش بینی می شود سود عملیاتی سه ماهه دوم این شرکت نسبت به مدت مشابه سال گذشته نصف کاهش یابد.